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电子元器件详细资料 » IC[27179] » SI6562CDQ-T1-GE3
型号:SI6562CDQ-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.7A,6.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C22 毫欧 @ 5.7A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs23nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds850pF @ 10V
功率_最大1.6W,1.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装8-TSSOP
包装Digi-Reel®

供应商

北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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SI6562CDQ-T1-GE3相关型号

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